Hi,欢迎访问北京北广精仪仪器设备有限公司

北京北广精仪仪器设备有限公司

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

联系我们
  • 北京北广精仪仪器设备有限公司
  • 陈丹
联系方式
北京北广精仪仪器设备有限公司
  • 联 系 人:陈丹
  • 手 机 号:
  • 公司电话:
  • 公司地址:北京
文章详情

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

发布用户:Bgjy 时间:2021-10-25 18:52

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

下面两种型式的电极装置特别合适

主机:谐振点电容搜索/数字6按键,按此键后,电容指示不断在变化,步进马达发出轻微的声响时仪器正工作在电容自动搜索被测量器件的谐振点,如需退出搜索,再按此键。先按12键后有效主机:数字6按键先按12键后,再按此键,功能为数字。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

技术参数:Q值测量.Q值测量范围:2~1023。

Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。

标称误差

     频率范围(100kHz~10MHz):  频率范围(10MHz~160MHz):

     固有误差:≤5%±满度值的2%  固有误差:≤6%±满度值的2%

     工作误差:≤7%±满度值的2%  工作误差:≤8%±满度值的2%

电感测量范围:4.5nH~7.9mH电容测量:1~205

 主电容调节范围:18~220pF

 准确度:150pF以下±1.5pF;  150pF以上±1%

 注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明

 信号源频率覆盖范围频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2:  1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1  :100~160MHz,

Q合格指示预置功能:      预置范围:5~1000。

正常工作条件 环境温度:0℃~+40℃;相对湿度:<80%;电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

其他消耗功率:约25W;净重:约7kg;外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

高频线圈的Q值测量(基本测量法)原始包装:请保留所有的原始包装材料,如果机器回厂维修,请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时,请务必将全部的附件一起送回,请注明故障现象和原因。另外,请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。

工作频段选择/数字1按键,每按一次,切换至低一个频段工作,先按12键后,再按此键,功能为数字。

松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分,油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷,尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷,金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大。陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体,多品型转变等。

被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差,被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上。

平板电极或圆柱形电极结构的电容计算公式由表 3给出。

DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。

为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差。使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

Ct大电容直接测量/数字9(先按12键后有效)按键。Lt残余电感扣除/数字0(先按12键后有效) 按键。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分,油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷,尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷,金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大。陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体,多品型转变等。

音频,高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时。满足标准:GBT1409-2006测量电气绝缘材料在工频当接近谐振点时请缓调必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

应地测量厚度,使偏差在士(2%士。.005 mm)以内,测量点应均匀地分布在试样表面。必要时,应测其有效面积。

试验时的温度和相对湿度以及试样的温度,施加的电压,施加的频率,相对电容率ε(平均值)。

试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计 在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。

介质损耗因数 tans(平均值),试验 日期 ,相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角,必要时,应给出与温度和频率的关系。

谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量,常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不的,叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。

因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至 低值,同样的道理。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利,杂质等对介电性能也有很大景响。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

对于介质损耗因数的测量,这种类型的电极在高频下不能满足要求,除非试样的表面和金属板都非常平整。图 1所示的电极系统也要求试样厚度均匀

试验时的温度和相对湿度以及试样的温度,施加的电压,施加的频率,相对电容率ε(平均值)。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下该仪器广泛地用于科研机关,学校,工厂等单位。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至 低值,同样的道理。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利,杂质等对介电性能也有很大景响。

试样上不加电极

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

高频线圈的Q值测量(基本测量法)原始包装:请保留所有的原始包装材料,如果机器回厂维修,请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时,请务必将全部的附件一起送回,请注明故障现象和原因。另外,请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。

电源开关。液晶显示屏。测试回路接线柱:主机左边两个为电感接入端,右边两个为外接电容接入端,主机后边两个为电感接入端,前边两个为外接电容接入端。

J=dD/dt=d(/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗,Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。

调谐回路残余电感值低至8nH,保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。

介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计 在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。

被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差,被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上。

数输入要满4位。例:要输入79.5P,按二次此键,电容指示数在闪烁,然后输入0795。指示数在闪烁有效数后为0的,可以不输入直接再按一下此键完成设置。然后输入按一下此键完成设置。第二次按下(电容指示数在闪烁)为电容数输入。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

RS232 仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。

数输入要满4位。例:要输入79.5P,按二次此键,电容指示数在闪烁,然后输入0795。指示数在闪烁有效数后为0的,可以不输入直接再按一下此键完成设置。然后输入按一下此键完成设置。第二次按下(电容指示数在闪烁)为电容数输入。

在1MHz或更高频率下,减小接线的电感对测量结果的影响。此时,可采用同轴接线系统,当用变电抗法测量时,应提供一个固定微调电容器。电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。概念:电介质在外电场作用下介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能。

试验步骤试样的制备

特点:本公司创新的自动Q值保持技术,使测Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

高频线圈的Q值测量(基本测量法)原始包装:请保留所有的原始包装材料,如果机器回厂维修,请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时,请务必将全部的附件一起送回,请注明故障现象和原因。另外,请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。

因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较完全,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

试验步骤试样的制备

因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至 低值,同样的道理。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利,杂质等对介电性能也有很大景响。

VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。

特点:本公司创新的自动Q值保持技术,使测Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分,油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷,尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷,金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大。陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体,多品型转变等。

测试装置符合国标GB/T 1409-20美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。

表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插人电极系统中测量,在这个电极系统中,试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。

按此键显示屏第四行左部出现SWEEP时,表示仪器正工作在频率自动搜索被测量器件的谐振点,如需退出搜索,再按此键,先按12键后,再按此键,功能为数字谐振点频率搜索/数字5按键。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

在1MHz或更高频率下,减小接线的电感对测量结果的影响。此时,可采用同轴接线系统,当用变电抗法测量时,应提供一个固定微调电容器。电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。

空气填充测微计电极当试样插人和不插人时,电容都能调节到同一个值 ,不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极.

测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下该仪器广泛地用于科研机关,学校,工厂等单位。

介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。

高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。

试样上不加电极

偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物,偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为介质损耗小于10-4。高频线圈的Q值测量(基本测量法)高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表

为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。测试注意事项本仪器应水平安放,如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟,调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调,被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差。使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫,手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下该仪器广泛地用于科研机关,学校,工厂等单位。

主要特点:空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~ 树脂大约是 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低。电仪器:介电强度测试仪,体积表面电阻率测试仪,介电常数介质损耗测试仪,漏电起痕试验仪,耐电弧试验仪。

数输入要满4位。例:要输入79.5P,按二次此键,电容指示数在闪烁,然后输入0795。指示数在闪烁有效数后为0的,可以不输入直接再按一下此键完成设置。然后输入按一下此键完成设置。第二次按下(电容指示数在闪烁)为电容数输入。

安全注意事项:开机之前,敬请仔细阅读本 使用指南,以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前,请阅读“安装与设置”,保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前,务必请有操作经验的人员进行指导,防止误操作造成意外事件的发生。电击危险确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电,防止在带电情况下,对人员或设备造成伤害。陶瓷材料的损耗。

偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物,偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为介质损耗小于10-4。高频线圈的Q值测量(基本测量法)高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。

介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。

而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

唐河GDAT-a介电常数介质损耗试验仪价格表